产品概览

产品型号
RT1C060UNTR
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST

文档与媒体

数据列表
RT1C060UNTR

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
6A(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
28 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
870 pF @ 10 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
11 nC @ 4.5 V
供应商器件封装 :
8-TSST
功率耗散(最大值) :
650mW(Ta)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-SMD,扁平引线
工作温度 :
150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
20 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
1.5V,4.5V

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