产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DMN65D9L-13
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 335mA(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±16V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 4 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 41 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 0.4 nC @ 4.5 V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率耗散(最大值) :
- 270mW(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 60 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206Y2000820FQT
1206Y2000820GAR
1206Y2000820GCR
1206Y2000820GFR
1206Y2000820GFT
1206Y2000820GQT
1206Y2000820JAR
1206Y2000820JCR
1206Y2000820JFR
1206Y2000820JFT
1206Y2000820JQT
1206Y2000820KAR
1206Y2000820KCR
1206Y2000820KFR
1206Y2000820KFT
1206Y2000820KQT
1206Y2000821FAR
1206Y2000821FCR
1206Y2000821FFR
1206Y2000821FFT