产品概览

产品型号
GCMS040B120S1-E1
制造商
SemiQ
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

文档与媒体

数据列表
GCMS040B120S1-E1

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
57A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
+25V,-10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 10mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
52 毫欧 @ 40A,20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
3110 pF @ 1000 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
124 nC @ 20 V
供应商器件封装 :
SOT-227
功率耗散(最大值) :
242W(Tc)
安装类型 :
底座安装
封装/外壳 :
SOT-227-4,miniBLOC
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss) :
1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
20V

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