产品概览

产品型号
NVBG025N065SC1
制造商
ON Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
SIC MOS D2PAK-7L 650V

文档与媒体

数据列表
NVBG025N065SC1

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
106A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4.3V @ 15.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
28.5 毫欧 @ 45A,18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
3480 pF @ 325 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
164 nC @ 18 V
供应商器件封装 :
D2PAK-7
功率耗散(最大值) :
395W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) :
650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
15V,18V

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