产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IPLK80R1K2P7ATMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- -
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- -
- Vgs（最大值） :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- -
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- -
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- -
- 供应商器件封装 :
- PG-TDSON-8
- 功率耗散（最大值） :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerTDFN
- 工作温度 :
- -
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 800 V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- -
