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- 数据列表
- SIHB12N60E-GE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 12A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 380 毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 937 pF @ 100 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 58 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- D²PAK(TO-263)
- 功率耗散(最大值) :
- 147W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 600 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
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