产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IPU80R1K4P7AKMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3.5V @ 700µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 1.4 欧姆 @ 1.4A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 250 pF @ 500 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 10.05 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO251-3-21
- 功率耗散(最大值) :
- 32W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 800 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
08051A821JAT4A
12063C473MAT4A
0805N350F500CT
AC0805KKX7R7BB334
CL21B474KBF4PNE
GRM21BR71H474MA88K
GCJ21BL81E105MA01K
GCG1885G2A131GA01J
GCG1885G2A121GA01J
GCD21BR71H104KA01K
GCG1885G2A101GA01J
GCG1885G2A161GA01J
GCG1885G2A151GA01J
GCG1885G2A471GA01J
GCG1885G2A681GA01J
GCG1885G2A751GA01J
GCG1885G2A431GA01J
GCM1885G1H242GA16J
GCG1885G2A361GA01J
GCG1885G2A821GA01J