产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SI2336DS-T1-BE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4.3A(Ta),5.2A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 42 毫欧 @ 3.8A,4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 560 pF @ 15 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 15 nC @ 8 V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3(TO-236)
- 功率耗散(最大值) :
- 1.25W(Ta),1.8W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 1.8V,4.5V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
R71QR41004010K
SMP253MA4470MTR24
PHE450RD6220JR06L2
R463W510050M1K
PHE845VW7100MR06L2
C4BSPBX4100ZAJJ
C4AEJBW5200A3JJ
C4AQQEW5650A3BJ
MMK5223J50J01L16.5TR18
MMK5273J63J01L16.5TR18
MMK5104K50J01L16.5TA18
ECH-U1C102JX5
ECH-U1H101JX5
ECH-U1C101GX5
B32922C3104M189
ECH-U1C222GX5
ECH-U1C102GX5
ECH-U1H102JX5
ECH-U1H102GX5
ECH-U1H222GX5