产品概览

产品型号
SSM6J212FE,LF
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET P-CH 20V 4A ES6

文档与媒体

数据列表
SSM6J212FE,LF

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
4A(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
P 通道
Vgs(最大值) :
±8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
40.7 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
970 pF @ 10 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
14.1 nC @ 4.5 V
供应商器件封装 :
ES6
功率耗散(最大值) :
500mW(Ta)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
SOT-563,SOT-666
工作温度 :
150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
20 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
1.5V,4.5V

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