产品概览

产品型号
NVH4L080N120SC1
制造商
ON Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

文档与媒体

数据列表
NVH4L080N120SC1

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
29A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
+25V,-15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4.3V @ 5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
110 毫欧 @ 20A,20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1670 pF @ 800 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
56 nC @ 20 V
供应商器件封装 :
TO-247-4L
功率耗散(最大值) :
170mW(Tc)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-4
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) :
1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
20V

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