产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SI4463BDY-T1-GE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 9.8A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1.4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 11 毫欧 @ 13.7A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 56 nC @ 4.5 V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOIC
- 功率耗散(最大值) :
- 1.5W(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 2.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H1JTTD3002F25
RN73H1JTTD2743D50
RN73H1JTTD1842F25
RN73H1JTTD24R6D50
RN73H1JTTD2913D25
RN73H1JTTD2030F25
RN73H1JTTD17R2F50
RN73H1JTTD1690D25
RN73H1JTTD1671F25
RN73H1JTTD2552D50
RN73H1JTTD1473D25
RN73H1JTTD1543D100
RN73H1JTTD1561F25
RN73H1JTTD2133D50
RN73H1JTTD1762D100
RN73H1JTTD2462D50
RN73H1JTTD16R4D100
RN73H1JTTD25R8D25
RN73H1JTTD1651D100
RN73H1JTTD2911F100