产品概览

产品型号
TK90S06N1L,LXHQ
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

文档与媒体

数据列表
TK90S06N1L,LXHQ

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
90A(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.5V @ 500µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
3.3 毫欧 @ 45A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
5400 pF @ 10 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
81 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
DPAK+
功率耗散(最大值) :
157W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
175°C
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4.5V,10V

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