产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SQJ422EP-T1_BE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 75A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 3.4 毫欧 @ 18A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 4660 pF @ 20 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 100 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® SO-8
- 功率耗散(最大值) :
- 83W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® SO-8
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 40 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
LFE2M35E-6FN484C
LFE2-35E-7FN484C
LFE2M35E-5FN484I
LFE2M35SE-6FN484C
LFE2-35E-6FN484I
LFE2-35SE-7FN484C
LFE2-35SE-6FN484I
LFE2M35SE-5FN484I
A40MX04-1PLG84I
A40MX04-VQG80I
A40MX04-1VQG80
XC6SLX25-3FG484C
XA6SLX25-3CSG324Q
XA7S75-1FGGA484I
XC7A50T-1CS324I
LFE3-70EA-6FN1156C
M2GL050T-1VF400
M2GL050T-1VFG400
M2GL050T-VFG400I
M2GL050TS-VF400