产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SQJ488EP-T1_BE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 42A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 21 毫欧 @ 7.1A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 978 pF @ 50 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 27 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® SO-8
- 功率耗散(最大值) :
- 83W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® SO-8
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 100 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RWM084547R0JB25E1
MP9100-0.15-1%
MP9100-0.25-1%
MOX-1N-131006FE
MP9100-0.50-1%
MP9100-0.20-1%
MOX1125231006FE
MOX300001007FE
MOX-2-121007FE
Y070610K0000T9L
Y07061K00000T9L
CS3FR010E
USF340-10.0M-0.1%-5PPM
MOX-1N-131004FE
MPT100T1R2F
MPT100C100RF
MPT100C120RF
MPT100C15RF
Y070675R0000T9L
Y107320K0000T9L