产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- TPH8R008NH,L1Q
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 34A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 500µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 8 毫欧 @ 17A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 3000 pF @ 40 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 35 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOP Advance(5x5)
- 功率耗散(最大值) :
- 1.6W(Ta),61W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerVDFN
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 80 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
AC0402CRNPO9BN9R0
AC0402DRNPO9BN7R0
AC0402DRNPO9BN9R0
AC0402DRNPO9BN6R0
AC0402CRNPO9BN8R2
AC0402CRNPO9BN8R0
GCM1555C1H161JA16D
GRM1555C1E180GA01D
GRM1555C1E1R1BA01D
GRM1555C1E270GA01D
GRM1555C1E470GA01D
GRM1555C1H4R0BA01D
GRM1555C1E1R3BA01D
GRM1555C1E1R6BA01D
GRM1555C1E2R7BA01D
GRM1555C1E330GA01D
GRM1555C1E390GA01D
GRM1555C1E3R3BA01D
GRM1555C1E3R6BA01D
GRM1555C1E4R0BA01D