产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SIR622DP-T1-GE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 51.6A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 17.7 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1516 pF @ 75 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 31 nC @ 7.5 V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® SO-8
- 功率耗散(最大值) :
- 104W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® SO-8
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 150 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 7.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
199D225X0016A1V1
199D225X0016A2B1
199D225X0016A2C1
199D225X0016A2C1E3
199D225X0016A2V1
199D225X0016A5B1
199D225X0016A6B1
199D225X0016A6C1
199D225X0016A6C1E3
199D225X0016A6V1
199D225X0016AXV1
199D225X9016A1V1
199D225X9016A2B1
199D225X9016A2V1
199D225X9016A5B1
199D225X9016A6B1
199D225X9016A6V1
199D225X9016AXB1
199D225X9016AXV1
199D274X9035A1V1