产品概览

产品型号
SIR622DP-T1-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8

文档与媒体

数据列表
SIR622DP-T1-GE3

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
51.6A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4.5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
17.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1516 pF @ 75 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
31 nC @ 7.5 V
供应商器件封装 :
PowerPAK® SO-8
功率耗散(最大值) :
104W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
PowerPAK® SO-8
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
7.5V,10V

采购与库存

推荐产品

我们一直持续专注
实力现货
即时报价
快速出货
0755-23990123
13723705933
微信客服1部
微信客服2部
绝对原装正品
原厂渠道
全新正品
原厂认证
检测报告
IQC品控检测