产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IPD50N08S413ATMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 50A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 33µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 13.2 毫欧 @ 50A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1711 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 30 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO252-3-313
- 功率耗散(最大值) :
- 72W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 80 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RWR80S8250FSBSL
RWR74N8060FRBSL
RWR74N8060FRRSL
RWR80S8060FSBSL
RWR80S8060FSRSL
RWR80S82R5FSRSL
RWR80S82R5FSBSL
RWR80S82R0FSRSL
RWR80S82R0FSBSL
RWR80S7680FSRSL
RWR80S7680FSBSL
RWR80S75R3FSRSL
RWR80S75R3FSBSL
RWR80S7500FSRSL
RWR80S7500FSBSL
RWR80S8R06FSRSL
RWR80S8R06FSBSL
RWR80S8R25FSBSL
RWR80S8R25FSRSL
RWR74N78R7FMRSL