产品概览

产品型号
FDN5618P
制造商
ON Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

文档与媒体

数据列表
FDN5618P

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
1.25A(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
P 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
3V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
170 毫欧 @ 1.25A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
430 pF @ 30 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
13.8 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
SOT-23-3
功率耗散(最大值) :
500mW(Ta)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4.5V,10V

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