产品概览

产品型号
SCT2080KEHRC11
制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N

文档与媒体

数据列表
SCT2080KEHRC11

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
40A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
+22V,-6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 4.4mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
117 毫欧 @ 10A,18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
2080 pF @ 800 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
106 nC @ 18 V
供应商器件封装 :
TO-247N
功率耗散(最大值) :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
175°C(TJ)
技术 :
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) :
1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
18V

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