产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXFH80N25X3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 80A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4.5V @ 1.5mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 16 毫欧 @ 40A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 5430 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 83 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-247(IXTH)
- 功率耗散(最大值) :
- 390W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 250 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2BTTD24R6B25
RN73H2BTTD32R4C50
RN73H2BTTD1562B25
RN73H2BTTD2611C50
RN73H2BTTD2463C50
RN73H2BTTD1640C50
RN73H2BTTD34R4B25
RN73H2BTTD1472B25
RN73H2BTTD37R0B25
RN73H2BTTD1871B50
RN73H2BTTD1930B50
RN73H2BTTD3610C50
RN73H2BTTD3611B50
RN73H2BTTD1173B50
RN73H2BTTD3013C25
RN73H2BTTD1871C50
RN73H2BTTD2213C25
RN73H2BTTD2000B25
RN73H2BTTD25R2C50
RN73H2BTTD1763C50