产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- STB10N65K3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 10A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4.5V @ 100µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 1 欧姆 @ 3.6A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1180 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 42 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- D²PAK(TO-263)
- 功率耗散(最大值) :
- 150W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 650 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1812Y1K00820JFT
1812Y1K00820KAR
1812Y1K00820KCR
1812Y1K00820KFR
1812Y1K00820KFT
1812Y1K00821FAR
1812Y1K00821FCR
1812Y1K00821FFR
1812Y1K00821FFT
1812Y1K00821GAR
1812Y1K00821GCR
1812Y1K00821GFR
1812Y1K00821GFT
1812Y1K00821JAR
1812Y1K00821JCR
1812Y1K00821JDR
1812Y1K00821JDT
1812Y1K00821JER
1812Y1K00821JFR
1812Y1K00821JFT