产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- PHB33NQ20T,118
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 32.7A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 77 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1870 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 32.2 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- D2PAK
- 功率耗散(最大值) :
- 230W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 200 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MFR-12DTD52-590R
MFR-12DTD52-59K
MFR-12DTD52-5K1
MFR-12DTD52-5K11
MFR-12DTD52-5K23
MFR-12DTD52-5K36
MFR-12DTD52-5K49
MFR-12DTD52-5K6
MFR-12DTD52-5K62
MFR-12DTD52-5K76
MFR-12DTD52-5K9
MFR-12DTD52-604R
MFR-12DTD52-60K4
MFR-12DTD52-619R
MFR-12DTD52-61K9
MFR-12DTD52-620R
MFR-12DTD52-62K
MFR-12DTD52-634R
MFR-12DTD52-63K4
MFR-12DTD52-649R