产品概览

产品型号
TPN7R504PL,LQ
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON

文档与媒体

数据列表
TPN7R504PL,LQ

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
38A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.4V @ 200µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
7.5 毫欧 @ 19A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
2040 pF @ 20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
24 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
8-TSON Advance(3.1x3.1)
功率耗散(最大值) :
610mW(Ta),61W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-PowerVDFN
工作温度 :
175°C
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4.5V,10V

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