产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXTA4N65X2
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 850 毫欧 @ 2A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 455 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 8.3 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-263
- 功率耗散(最大值) :
- 80W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 650 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2BTTD1062D25
RN73H2BTTD1002F50
RN73H2BTTD1040F100
RN73H2BTTD1021D100
RN73H2BTTD1112F50
RN73H2BTTD10R6F100
RN73H2BTTD1051D50
RN73H2BTTD1061D100
RN73H2BTTD1070F100
RN73H2BTTD1043D50
RN73H2BTTD1141F25
RN73H2BTTD1042F50
RN73H2BTTD1103F100
RN73H2BTTD1090F100
RN73H2BTTD1070F25
RN73H2BTTD1063F50
RN73H2BTTD1013F25
RN73H2BTTD1091D50
RN73H2BTTD1101F50
RN73H2BTTD10R2F50