产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- G1K1P06HH
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4.5A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 110 毫欧 @ 4A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 981 pF @ 30 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 11 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率耗散(最大值) :
- 3.1W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 60 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
AU013C101KAG2A
AU013D101KAG2A
1808JA250470FGRSYX
CKC18C912MCGACAUTO
1812Y1K00562MET
1812Y1K00682MET
2220Y1K20333MXT
1210Y0500223JCT
1210Y0500334MET
1210Y0630223JCT
1210Y0630334MET
1812Y2000564JXT
1812Y2500564JXT
1825J1K00183KXT
1825J5000183KXT
1825J6300183KXT
2215JA250332KSRUYX
CKC18C472KCGAC7800
1812YA250681KGRUYS
2220YA250221MJTUYX