产品概览

产品型号
NTBGS001N06C
制造商
ON Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342

文档与媒体

数据列表
NTBGS001N06C

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
42A(Ta),342A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 562µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
1.1 毫欧 @ 112A,12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
11110 pF @ 30 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
139 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
D2PAK(TO-263)
功率耗散(最大值) :
3.7W(Ta),245W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V,12V

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