产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SIR158DP-T1-RE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 60A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 1.8 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 4980 pF @ 15 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 130 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® SO-8
- 功率耗散(最大值) :
- 83W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® SO-8
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
B-1643L2
NCV4269CPA50R2G
NCV86601CD50R2G
NCP103AMX090TCG
NCP176AMX100TCG
NCP176AMX300TCG
NCP176BMX300TCG
NCP186AMX185TAG
NCP186BMX120TAG
NCP186BMX175TAG
NCP186BMX280TAG
NCP186BMX300TAG
NCP186BMX350TAG
NCP717CMX285TBG
NCV511SN15T1G
NCV8170AXV120T2G
NCV8623MN-25R2G
NCV8623MN-30R2G
NCV8623MN-40R2G
SCY99192AFCT121T2G