产品概览

产品型号
CSD17313Q2Q1T
制造商
Texas Instruments
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

文档与媒体

数据列表
CSD17313Q2Q1T

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
5A(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
+10V,-8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1.8V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
30 毫欧 @ 4A,8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
340 pF @ 15 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
2.7 nC @ 4.5 V
供应商器件封装 :
6-WSON(2x2)
功率耗散(最大值) :
2.4W(Ta),17W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
6-WDFN 裸露焊盘
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
3V,8V

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