产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SI3469DV-T1-BE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 5A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 30 毫欧 @ 6.7A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 30 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSOP
- 功率耗散(最大值) :
- 1.14W(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R2ATTD6200B25
RN73R2ATTD7151B25
RN73R2ATTD5620B25
RN73R2ATTD3241B25
RN73R2ATTD43R2B25
RN73R2ATTD5420B25
RN73R2ATTD5601B25
RN73R2ATTD4593B25
RN73R2ATTD8870B25
RN73R2ATTD9310B25
RN73R2ATTD9652B25
RN73R2ATTD9881B25
RN73R2ATTD3611B25
RN73R2ATTD3650B25
RN73R2ATTD3000B25
RN73R2ATTD8450B25
RN73R2ATTD53R6B25
RN73R2ATTD7413B25
RN73R2ATTD5970B25
RN73R2ATTD6983B25