产品概览

产品型号
DMN2710UTQ-7
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

文档与媒体

数据列表
DMN2710UTQ-7

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
870mA(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
42 pF @ 16 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
0.6 nC @ 4.5 V
供应商器件封装 :
SOT-523
功率耗散(最大值) :
320mW(Ta)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
SOT-523
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
20 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
1.8V,4.5V

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