数据列表

STQ1HN60K3-AP

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

400mA（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±30V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4.5V @ 50µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

8 欧姆 @ 600mA，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

140 pF @ 50 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

9.5 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

TO-92-3

功率耗散（最大值） :

3W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

600 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V