产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- C3M0045065D
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 49A（Tc）
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs（最大值） :
- +19V，-8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 3.6V @ 4.84mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 60 毫欧 @ 17.6A，15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 1621 pF @ 600 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 63 nC @ 15 V
- 供应商器件封装 :
- TO-247-3
- 功率耗散（最大值） :
- 176W（Tc）
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-3
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 技术 :
- SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss） :
- 650 V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- 15V
