产品概览

产品型号
TPN30008NH,LQ
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

文档与媒体

数据列表
TPN30008NH,LQ

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
9.6A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 100µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
30 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
920 pF @ 40 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
11 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
8-TSON Advance(3.3x3.3)
功率耗散(最大值) :
700mW(Ta),27W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-PowerVDFN
工作温度 :
150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V

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