产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- RSQ035N06HZGTR
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 3.5A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 70mOhm @ 3.5A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 430 pF @ 10 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 6.5 nC @ 5 V
- 供应商器件封装 :
- TSMT6(SC-95)
- 功率耗散(最大值) :
- 950mW(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 60 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-1009C18I-M5T1U
S-1009C19I-I4T1U
S-1009C19I-M5T1U
S-1009C19I-N4T1U
S-1009C25I-M5T1U
S-1009C26I-M5T1U
S-1009C28I-N4T1U
S-1009C32I-I4T1U
S-1009C33I-N4T1U
S-1009C34I-N4T1U
S-1009C36I-I4T1U
S-1009C37I-I4T1U
S-1009C37I-N4T1U
S-1009C38I-N4T1U
S-1009C39I-I4T1U
S-1009C40I-N4T1U
S-1009C41I-N4T1U
S-1009C42I-M5T1U
S-1009C42I-N4T1U
S-1009C43I-I4T1U