产品概览

产品型号
DMP56D0UFB-7B
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

文档与媒体

数据列表
DMP56D0UFB-7B

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
200mA(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
P 通道
Vgs(最大值) :
±8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1.2V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
6 欧姆 @ 100mA,4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
50.54 pF @ 25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
0.58 nC @ 4 V
供应商器件封装 :
X1-DFN1006-3
功率耗散(最大值) :
425mW(Ta)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
3-UFDFN
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
50 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
2.5V,4V

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