产品概览

产品型号
SSM3K35CT,L3F
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 20V 180MA CST3

文档与媒体

数据列表
SSM3K35CT,L3F

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
180mA(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
3 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
9.5 pF @ 3 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
CST3
功率耗散(最大值) :
100mW(Ta)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
SC-101,SOT-883
工作温度 :
150°C
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
20 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
1.2V,4V

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