数据列表

G3R20MT17N

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

100A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.7V @ 15mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

26 毫欧 @ 75A，15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

10187 pF @ 1000 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

400 nC @ 15 V

供应商器件封装 :

SOT-227

功率耗散（最大值） :

523W（Tc）

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

SOT-227-4，miniBLOC

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

1700 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

15V