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TP65H480G4JSG-TR

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

3.6A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.8V @ 500µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

560 毫欧 @ 3.4A，8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

760 pF @ 400 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

9 nC @ 8 V

供应商器件封装 :

3-PQFN（5x6）

功率耗散（最大值） :

13.2W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

3-SMD，扁平引线

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）

漏源电压（Vdss） :

650 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

8V