产品概览

产品型号
G3R40MT12J
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7

文档与媒体

数据列表
G3R40MT12J

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
75A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.69V @ 10mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
48 毫欧 @ 35A,15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
2929 pF @ 800 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
106 nC @ 15 V
供应商器件封装 :
TO-263-7
功率耗散(最大值) :
374W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) :
1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
15V

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