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- 数据列表
- IMBF170R650M1XTMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 7.4A（Tc）
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs（最大值） :
- +20V，-10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 5.7V @ 1.7mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 650毫欧 @ 1.5A，15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 422 pF @ 1000 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 8 nC @ 12 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO263-7-13
- 功率耗散（最大值） :
- 88W（Tc）
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C（TJ）
- 技术 :
- SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss） :
- 1700 V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- 12V，15V
