产品概览

产品型号
EPC2215
制造商
EPC
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

文档与媒体

数据列表
EPC2215

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
32A(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
+6V,-4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.5V @ 6mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
8 毫欧 @ 20A,5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1790 pF @ 100 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
17.7 nC @ 5 V
供应商器件封装 :
模具
功率耗散(最大值) :
-
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
模具
工作温度 :
-40°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) :
200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
5V

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