产品概览

产品型号
MT3S113(TE85L,F)
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
双极射频晶体管
产品描述
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

文档与媒体

数据列表
MT3S113(TE85L,F)

产品详情

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
200 @ 30mA,5V
供应商器件封装 :
S-Mini
功率 - 最大值 :
800mW
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) :
1.45dB @ 1GHz
增益 :
11.8dB
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 :
150°C(TJ)
晶体管类型 :
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) :
5.3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
100mA
频率 - 跃迁 :
12.5GHz

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