产品概览
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- 数据列表
- EMH1FHAT2R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 500µA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 56 @ 5mA,5V
- 供应商器件封装 :
- EMT6
- 功率 - 最大值 :
- 150mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563,SOT-666
- 晶体管类型 :
- 2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- -
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- -
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 22 千欧
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 22 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
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