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PBLS2002S,115

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V

供应商器件封装 :

8-SO

功率 - 最大值 :

1.5W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

晶体管类型 :

1 NPN 预偏压式，1 PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V，20V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

100mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值） :

1µA，100nA

电阻器 - 发射极 (R2) :

4.7 千欧

电阻器 - 基极 (R1) :

4.7 千欧

频率 - 跃迁 :

100MHz