产品概览

产品型号
NSM46211DW6T1G
制造商
ON Semiconductor
产品类别
双极晶体管阵列,预偏置
产品描述
TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363

文档与媒体

数据列表
NSM46211DW6T1G

产品详情

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
250mV @ 300µA,10mA / 600mV @ 5mA,100mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
35 @ 5mA,10V / 200 @ 2mA,5V
供应商器件封装 :
SC-88/SC70-6/SOT-363
功率 - 最大值 :
230mW
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
晶体管类型 :
1 NPN 预偏压式,1 NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) :
50V,65V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
100mA
电流 - 集电极截止(最大值) :
500nA
电阻器 - 发射极 (R2) :
10 千欧
电阻器 - 基极 (R1) :
10 千欧
频率 - 跃迁 :
-

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