数据列表

IMH21T110

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

150mV @ 2.5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

820 @ 50mA，5V

供应商器件封装 :

SMT6

功率 - 最大值 :

300mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SC-74，SOT-457

晶体管类型 :

2 个 NPN 预偏压式（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

20V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

600mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA（ICBO）

电阻器 - 发射极 (R2) :

-

电阻器 - 基极 (R1) :

10 千欧

频率 - 跃迁 :

150MHz