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NSTB1002DXV5T1G

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

250mV @ 300µA，10mA / 400mV @ 5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

80 @ 5mA，10V / 100 @ 1mA，10V

供应商器件封装 :

SOT-553

功率 - 最大值 :

500mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-553

晶体管类型 :

1 NPN 预偏压式，1 PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V，40V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

100mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电阻器 - 发射极 (R2) :

47 千欧

电阻器 - 基极 (R1) :

47 千欧

频率 - 跃迁 :

250MHz