产品概览
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- 数据列表
- EMD12FHAT2R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 500µA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 68 @ 5mA，5V
- 供应商器件封装 :
- EMT6
- 功率 - 最大值 :
- 150mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 晶体管类型 :
- 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- -
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- -
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 47 千欧
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 47 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
