产品概览

产品型号
RN2909FE(TE85L,F)
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
双极晶体管阵列,预偏置
产品描述
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

文档与媒体

数据列表
RN2909FE(TE85L,F)

产品详情

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
300mV @ 250µA,5mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
70 @ 10mA,5V
供应商器件封装 :
ES6
功率 - 最大值 :
100mW
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
SOT-563,SOT-666
晶体管类型 :
2 个 PNP 预偏压式(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) :
50V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
100mA
电流 - 集电极截止(最大值) :
100nA(ICBO)
电阻器 - 发射极 (R2) :
22 千欧
电阻器 - 基极 (R1) :
47 千欧
频率 - 跃迁 :
200MHz

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