产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SMUN5312DW1T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 250mV @ 300µA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 60 @ 5mA,10V
- 供应商器件封装 :
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 187mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 晶体管类型 :
- 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 22 千欧
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 22 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GMA05XR70J153MA01T
GMA05XR70J682MA01T
100A390JP150XT
1808YA250390FKTUYX
1206J0100273GCT
1206J0160273GCT
1812J1000181FCT
1812J1K00181FCT
1812J1K20181FCT
1812J1K50181FCT
1812J2000181FCT
1812J2500181FCT
1812J2K00181FCT
1812J2K50181FCT
1812J5000181FCT
1812J6300181FCT
CKC18X512GCGACAUTO
1808JA250181FGRSYX
1210Y2000184KET
KCM55QR71H176KH01K